美光全球首发176层3D闪存

11月10日，美光宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光和Intel在闪存合作上分手后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。美光176层闪存基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb(64GB)。得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层的厚度压缩在了45微米，基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多。即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。传输速率提高至1600MT/s，而此前96/128层的都是1200MT/s，读写延迟相比96层改进35％，相比128层改进25％，混合负载性能相比96层改进15％。